3-Ziel-Plasma-Sputteranlage

1. Eingangsleistung der 3-Schnell-Plasma-Sputteranlage: Wechselstrom 220 V, 50/60 Hz

2. Sputterstrom der 3-fach rotierenden Target-Plasma-Sputteranlage: 0–40 mA, einstellbar

3. Leistung: <1 kW

4. Ausgangsspannung: Maximal 1680 V DC

1. Material: Quarzkammer

2. Abmessungen: Außendurchmesser 166 mm × Innendurchmesser 150 mm × 150 mm

3. Abdichtung: O-Ring-Dichtung

4. Zur Vorbehandlung des Targets mit Sputtern ist eine manuell bedienbare Prallplatte am Flanschdeckel angebracht. Ein Kompressionsanschluss mit φ 6,35 mm dient als Lufteinlass für den Anschluss an das Einlassrohr. Ein manuelles Entlüftungsventil wird verwendet, um Luft in die Quarzkammer einzuleiten.

5. Eine Edelstahlgewebeabdeckung umschließt die gesamte Quarzkammer, um das Plasma abzuschirmen.

6. Die Durchflussrate des in die Quarzkammer einströmenden Arbeitsgases wird durch Einstellen des Mikropräzisions-Steuerventils auf der rechten Seite des Gehäuses geregelt, wodurch der Vakuumpegel innerhalb der Kammer angepasst wird.

7. Der Sputterstrom wird durch Einstellen des Potentiometers auf der rechten Seite des Gehäuses gesteuert.

1. Drei Kupferziele gehören zur Standardausstattung.

2. Zielabmessungen: φ47 x (0,1-3) mm dick.

3. Weitere Metallziele können bei unserem Unternehmen erworben werden; bitte kontaktieren Sie unsere Verkaufsabteilung für weitere Informationen.

4. Zur Vorbehandlung des Targets mit Sputtermaterial wird eine manuell bedienbare Prallplatte installiert.

1. Ein drehbarer Probentisch mit 50 mm Durchmesser und Schrauben an der Probentisch-Tragsäule zur Einstellung der Probentischhöhe.

2. Drehwinkel des Probentisches: 0/120/240 Grad.

3. Der Abstand zwischen dem Zielobjekt und dem Probentisch ist von 20 bis 70 mm einstellbar.

4. Der Probentisch kann optional beheizt werden, mit einer maximalen Temperatur von 500°C.

Ein 1,4-kHz-SPS-integriertes Touchscreen-Bedienfeld steuert Vakuum, Stromstärke und Probenzerstäubungszeit.

2. Eine Datenprotokollierungsfunktion zeichnet Prozessparameter wie Vakuum, Stromstärke und Sputterzeit für jeden Sputtervorgang auf und ermöglicht so den Kunden einen einfachen Zugriff auf die Daten.

1. Modell: VRD-8

2. Fördermenge: 2,2 l/s

3. Motorleistung: 370 W

4. Maximaler Druck: 5 × 10-1 Pa (unbelastet).

5. Tatsächlicher Druck: ≤ 5 Pa (20 Minuten mechanisches Pumpen unter kalten Bedingungen).

6. Wenn Sie einen höheren Vakuumgrad (10-5 Toor oder besser) erreichen möchten, können Sie zwischen inländischen und importierten Hochvakuumgeräten wählen.

Abmessungen: 460 mm × 400 mm × 500 mm (L × B × H)

Gewicht: Ungefähr 20 kg

1. Um die gewünschte Filmdicke zu erreichen, sind mehrere Sputterzyklen erforderlich.

2. Vor dem Sputtern muss sichergestellt werden, dass der Sputterkopf, das Target, die Probe und der Probenträger sauber sind.

3. Um eine gute Haftung zwischen dem Film und dem Substrat zu gewährleisten, reinigen Sie die Substratoberfläche vor dem Sputtern. Unsere Reinigungsanlagen können hierfür verwendet werden.

4. Dieses Gerät kann zum Sputtern in einer Glovebox (Ar- oder N2-Atmosphäre) verwendet werden.

1. Der Kammerdruck darf 0,02 MPa (Relativdruck) nicht überschreiten.

2. Aufgrund des hohen Drucks in der Gasflasche muss beim Einleiten von Gas in das Quarzrohr ein Druckminderungsventil installiert werden. Um die Sicherheit zu gewährleisten, empfehlen wir einen Betrieb mit einem Druck unter 0,02 MPa. Für höhere Genauigkeit und Sicherheit empfehlen wir den Kauf eines Druckminderungsventils unseres Unternehmens mit einem Messbereich von 0,01 MPa bis 0,1 MPa.

3. Wir raten von der Verwendung brennbarer, explosiver oder giftiger Gase ab. Sollte Ihr Prozess die Verwendung solcher Gase erfordern, treffen Sie bitte geeignete Schutz- und Explosionsschutzmaßnahmen. Unser Unternehmen übernimmt keine Haftung für Probleme, die durch die Verwendung brennbarer, explosiver oder giftiger Gase entstehen.