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Plasmaunterstütztes chemisches Gasphasenabscheidungssystem (PECVD) im Hochvakuum
Parallelplatten-kapazitive PECVD ist eine Technologie, die Plasma verwendet, um reaktive Gase zu aktivieren und so chemische Reaktionen auf der Substratoberfläche oder im oberflächennahen Raum zu fördern und Festkörperfilme zu bilden. Das Grundprinzip der Plasma-Chemiedampfabscheidungstechnologie besteht darin, dass unter Einwirkung eines Hochfrequenz- oder Gleichstromfelds das Quellgas ionisiert wird, um Plasma zu bilden, und das Niedertemperaturplasma als Energiequelle verwendet wird, eine geeignete Menge reaktiven Gases eingeführt wird und die Plasmaentladung verwendet wird, um das reaktive Gas zu aktivieren und eine chemische Dampfabscheidung zu bilden.
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Sphärisches gepulstes Laserabscheidungssystem
Bei diesem System handelt es sich um ein Forschungs- und Entwicklungsgerät für sphärische gepulste Laserabscheidungssysteme (PLD). Die gepulste Laserabscheidungstechnologie wird häufig eingesetzt und kann zur Herstellung dünner Filme aus verschiedenen Substanzen wie Metallen, Halbleitern, Oxiden, Nitriden, Carbiden, Boriden, Siliziden, Sulfiden und Fluoriden verwendet werden. Sie wird sogar zur Herstellung einiger schwer zu synthetisierender Materialfilme wie Diamant- und kubischer Nitridfilme verwendet.
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