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Hochvakuum-Plasma-verstärktes chemisches Gasphasenabscheidungssystem (PECVD)
Die kapazitive Parallelplatten-PECVD ist eine Technologie, die Plasma zur Aktivierung reaktiver Gase verwendet, um chemische Reaktionen auf der Substratoberfläche oder im oberflächennahen Raum zu fördern und Festkörperfilme zu bilden. Das Grundprinzip der plasmachemischen Gasphasenabscheidungstechnologie besteht darin, dass das Quellgas unter Einwirkung eines Hochfrequenz- oder Gleichstromfeldes ionisiert wird, um ein Plasma zu bilden, und das Niedertemperaturplasma als Energiequelle verwendet wird, wobei eine geeignete Menge an reaktivem Gas vorhanden ist eingeführt, und die Plasmaentladung wird verwendet, um das reaktive Gas zu aktivieren und eine chemische Gasphasenabscheidung zu bilden.
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Sphärisches gepulstes Laserauftragssystem
Bei diesem System handelt es sich um eine Forschungs- und Entwicklungsausrüstung für ein sphärisches gepulstes Laserdepositionssystem (PLD). Die gepulste Laserabscheidungstechnologie ist weit verbreitet und kann zur Herstellung dünner Filme aus verschiedenen Substanzen wie Metallen, Halbleitern, Oxiden, Nitriden, Karbiden, Boriden, Siliziden, Sulfiden und Fluoriden verwendet werden. Es wird sogar zur Herstellung einiger schwierig zu synthetisierender Materialfilme wie Diamant- und kubische Nitridfilme verwendet.
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