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Wie lassen sich sekundäre Einspannfehler bei der Präzisionskristallorientierung und -bearbeitung eliminieren?
Wie lassen sich sekundäre Einspannfehler bei der Präzisionskristallorientierung und -bearbeitung eliminieren?

1. Präzisionsherausforderungen in der Materialwissenschaft: Im Bereich der Materialforschung – insbesondere bei Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) – ist die Kristallorientierung von entscheidender Bedeutung. Bereits eine Abweichung von nur 0,1 Grad kann erhebliche Schwankungen der Elektronenbeweglichkeit, der Wärmeleitfähigkeit und der Qualität des epitaxialen Wachstums zur Folge haben.

2026/04/20
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