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Basierend auf dem Magnetronsputtern werden Hochvakuum und Hochtemperatur-Wachstumsumgebungen sowie Plasmatechnologie kombiniert, um die Reaktionseffizienz der reaktiven Abscheidung zu verbessern und so die Magnetronsputtern-Filmepitaxie zu realisieren. Der unter Hochvakuumbedingungen hergestellte Film weist eine bessere Gitterorientierung und hervorragendere Kristalleigenschaften auf. Er findet breite Anwendung in supraleitenden Quanten, ferroelektrischen, piezoelektrischen und thermoelektrischen Materialien und weiteren Bereichen. Das Hochvakuum trägt dazu bei, den Einfluss von Verunreinigungen zu reduzieren und sicherzustellen, dass die gesputterten Partikel während des Abscheidungsprozesses nicht mit anderen Gasen reagieren.