Wie beschichtet man Silizium-Wafer mit dem PTL-NMB-Thermostat-Tauchbeschichter in Nanometerqualität?
In der modernen Materialforschung und Halbleiterherstellung sind Dünnschichtpräparation und Beschichtungstechnologie von entscheidender Bedeutung. Insbesondere auf dem Gebiet der Dünnschichtbeschichtung mit Nanometerpräzision bietet PTL-NMBThermostatischer Tauchbeschichter im Nanometerbereichist als Präzisionsgerät zu einem wichtigen Werkzeug in der Forschung und in industriellen Anwendungen geworden. Dieser Artikel stellt detailliert vor, wie man mit dem PTL-NMB-Nanometerzieher Siliziumwafer beschichtet.
Der Hauptzweck dieses Experiments besteht darin,Thermostatischer Tauchbeschichter im Nanometerbereich um Siliziumwafer beidseitig zu beschichten und die Abscheidung dünner Filme auf der Oberfläche von Siliziumwafern zu beobachten. Als wichtiges Substrat in der Halbleiterforschung wirkt sich die Qualität der Oberflächenbeschichtung von Siliziumwafern direkt auf den nachfolgenden Prozesseffekt aus. Daher kann die Verwendung präzise gesteuerter Beschichtungsverfahren, wie z. B. eines Nanometer-Pull-Coaters, die Beschichtung gleichmäßig und präzise machen.
Experimentelle Schritte:
1. Reinigung von Silizium-Wafern:
Vor Beginn des Experiments muss die Siliziumscheibe gründlich gereinigt werden. Weichen Sie die Siliziumscheibe in deionisiertem Wasser ein, um die Probenoberfläche frei von äußeren Verunreinigungen zu halten. Entfernen Sie dann die Wasserflecken mit Aceton, reinigen Sie sie gründlich mit deionisiertem Wasser und verwenden Sie den Plasmareiniger PCE-6V, um die Siliziumscheibe 10 Minuten lang plasmazuätzen. Nach dem Ätzen sollte die Siliziumscheibe nicht länger als 30 Minuten der Luft ausgesetzt werden, da sonst die Oberflächenbeschaffenheit beeinträchtigt werden kann und die Haftung des Films beeinträchtigt wird.
2. Parametereinstellung:
Gießen Sie das flüssige Material in einen 150 ml großen Materialbecher und montieren Sie den Siliziumwafer auf der Probenhalterung, um ihn für die Beschichtung vorzubereiten. Im Experiment wird der Siliziumwafer zunächst vollständig in die Lösung eingetaucht. Dann wird die Ziehgeschwindigkeit auf 100 nm/s und die Ziehhöhe auf dem thermostatischen Tauchbeschichter in Nanometerqualität auf 50 mm eingestellt. Berechnungen zufolge dauert der gesamte Ziehprozess etwa 139 Stunden.
3. Beschichtungsprozess:
Während des Beschichtungsprozesses wird der Siliziumwafer durch den Abzieher gesteuert und die Lösung wird allmählich von der Oberfläche des Substrats abgezogen, um einen gleichmäßigen Film zu bilden. Da die Arbeitsgeschwindigkeit des Abziehers sehr fein ist, ist der Abscheidungsprozess des Films sehr stabil und der schließlich auf die Oberfläche des Siliziumwafers aufgetragene Film weist eine gute Gleichmäßigkeit und Konsistenz auf.
Mithilfe derThermostatischer Tauchbeschichter im Nanometerbereichkönnen Forscher die Oberfläche des Siliziumwafers auf beiden Seiten präzise beschichten und die Dicke und Qualität des Films kontrollieren. Die experimentellen Ergebnisse zeigen, dass während des Beschichtungsprozesses die Abscheidung des Films gleichmäßig ist und die Präzisionsanforderungen im Nanometerbereich erfüllt, was ihn für die Forschung an Halbleitern und Nanomaterialien geeignet macht.